品番 | IXRFSM18N50 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 500V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 340 mOhm @ 9.5A, 20V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 6.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2250pF @ 400V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 835W |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 16-SMPD |
パッケージ/ケース | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
重量 | - |
原産国 | - |