IXRFSM18N50 - IXYS-RF

Número de pieza	IXRFSM18N50
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 9.5A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 400V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	835W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	16-SMPD
Paquete / caja	16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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