IXRFSM18N50 - IXYS-RF

Artikelnummer	IXRFSM18N50
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 9.5A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 400V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	835W
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	16-SMPD
Paket / Fall	16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXRFD615	IXYS-RF	15A 15V MOSFET DRIVER	Einzelheiten
IXRFD615X2	IXYS	15A DUAL MOSFET DRIVER	Einzelheiten
IXRFD630	IXYS	IC MOSFET DVR RF 30A HI DCB	Einzelheiten
IXRFD631-NRF	IXYS	IC MOSFET DVR RF 30A LOW DCB	Einzelheiten
IXRFDSM607X2	IXYS-RF	15A LOW SIDE MOSFET DRIVER IN SM	Einzelheiten
IXRFSM12N100	IXYS-RF	2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE	Einzelheiten
IXRFSM18N50	IXYS-RF	18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE	Einzelheiten