IXRFSM18N50 Подробное описание
номер части |
IXRFSM18N50 |
Статус детали |
Active |
Тип полевого транзистора |
N-Channel |
Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
Слив к источнику напряжения (Vdss) |
500V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
19A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
20V |
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
340 mOhm @ 9.5A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
6.5V @ 250µA |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
42nC @ 10V |
Vgs (Макс.) |
±20V |
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
2250pF @ 400V |
Функция FET |
- |
Рассеиваемая мощность (макс.) |
835W |
Рабочая Температура |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Пакет устройств поставщика |
16-SMPD |
Упаковка / чехол |
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IXRFSM18N50