IXRFSM18N50 - IXYS-RF

부품 번호	IXRFSM18N50
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 9.5A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id	6.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	2250pF @ 400V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	835W
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	16-SMPD
패키지 / 케이스	16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IXRFD615	IXYS-RF	15A 15V MOSFET DRIVER	세부
IXRFD615X2	IXYS	15A DUAL MOSFET DRIVER	세부
IXRFD630	IXYS	IC MOSFET DVR RF 30A HI DCB	세부
IXRFD631-NRF	IXYS	IC MOSFET DVR RF 30A LOW DCB	세부
IXRFDSM607X2	IXYS-RF	15A LOW SIDE MOSFET DRIVER IN SM	세부
IXRFSM12N100	IXYS-RF	2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE	세부
IXRFSM18N50	IXYS-RF	18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE	세부