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IXRFSM12N100 - IXYS-RF

品番: IXRFSM12N100
メーカー: IXYS-RF
簡単な説明: 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IXRFSM12N100 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 6660 pcs
参考価格: USD 24.72/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IXRFSM12N100 詳細な説明

品番	IXRFSM12N100
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs（th）（Max）@ Id	5.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	77nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2875pF @ 800V
FET機能	-
消費電力（最大）	940W
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	16-SMPD
パッケージ/ケース	16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
重量	-
原産国	-

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