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SPB20N60C3 - Infineon Technologies

品番: SPB20N60C3
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SPB20N60C3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: SPB20N60C3.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 10520 pcs
参考価格: USD 2.4449/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SPB20N60C3 詳細な説明

品番	SPB20N60C3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	20.7A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.9V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	114nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2400pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	208W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

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