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SPB21N10 - Infineon Technologies

品番: SPB21N10
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SPB21N10 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: SPB21N10.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3618 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SPB21N10 詳細な説明

品番	SPB21N10
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	21A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 44µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	38.4nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	865pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	90W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	80 mOhm @ 15A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

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