SPB21N10

SPB21N10 - Infineon Technologies

Numéro d'article
SPB21N10
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
SPB21N10 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
SPB21N10.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4478 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour SPB21N10

SPB21N10 Description détaillée

Numéro d'article SPB21N10
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 44µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 38.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO263-3-2
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR SPB21N10