SPB20N60S5ATMA1

SPB20N60S5ATMA1 - Infineon Technologies

品番
SPB20N60S5ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4176 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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SPB20N60S5ATMA1 詳細な説明

品番 SPB20N60S5ATMA1
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 5.5V @ 1mA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 103nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3000pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 208W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 190 mOhm @ 13A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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