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SPB20N60S5ATMA1

SPB20N60S5ATMA1 - Infineon Technologies

品番: SPB20N60S5ATMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SPB20N60S5ATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 4088 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SPB20N60S5ATMA1 詳細な説明

品番	SPB20N60S5ATMA1
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	20A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	103nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	3000pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	208W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	190 mOhm @ 13A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

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