| 品番 | SPB20N60C3ATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Not For New Designs |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 20.7A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.9V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 114nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2400pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 208W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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SPB20N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK | 詳細 |
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SPB20N60S5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A TO-263 | 詳細 |
