SPB20N60C3ATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	SPB20N60C3ATMA1
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	20.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	208W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO263-3-2
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SPB200-AL-1	H&D Wireless AB	WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N	Détails
SPB204 EVK	H&D Wireless AB	EVK WI-FI SD CARD WITH HDG204	Détails
SPB205-AL-1	H&D Wireless AB	WIFI BOARD 802.11 BGN STM32	Détails
SPB20N60C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK	Détails
SPB20N60C3ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK	Détails
SPB20N60S5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 20A TO-263	Détails