SPB20N60S5ATMA1

SPB20N60S5ATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
SPB20N60S5ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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3662 pcs
Prix ​​de référence
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SPB20N60S5ATMA1 Description détaillée

Numéro d'article SPB20N60S5ATMA1
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 103nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO263-3-2
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids -
Pays d'origine -

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