SPB20N60S5ATMA1

SPB20N60S5ATMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
SPB20N60S5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3522 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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SPB20N60S5ATMA1 Descripción detallada

Número de pieza SPB20N60S5ATMA1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 103nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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