日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

SPB21N50C3 - Infineon Technologies

品番: SPB21N50C3
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SPB21N50C3 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2500 pcs
参考価格: USD 1.968/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SPB21N50C3 詳細な説明

品番	SPB21N50C3
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	560V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	21A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.9V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	95nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2400pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	208W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量	-
原産国	-

関連製品 SPB21N50C3

画像	品番	メーカー	説明	見る
	SPB200-AL-1	H&D Wireless AB	WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N	詳細
	SPB204 EVK	H&D Wireless AB	EVK WI-FI SD CARD WITH HDG204	詳細
	SPB205-AL-1	H&D Wireless AB	WIFI BOARD 802.11 BGN STM32	詳細
	SPB20N60C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK	詳細
	SPB20N60C3ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK	詳細
	SPB20N60S5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 20A TO-263	詳細
	SPB21N10	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK	詳細
	SPB21N10 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK	詳細
	SPB21N10T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK	詳細
	SPB21N50C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 21A TO-263	詳細