SPB20N60C3 - Infineon Technologies

Numero di parte	SPB20N60C3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 13.1A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO263-3-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
SPB200-AL-1	H&D Wireless AB	WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N	Dettagli
SPB204 EVK	H&D Wireless AB	EVK WI-FI SD CARD WITH HDG204	Dettagli
SPB205-AL-1	H&D Wireless AB	WIFI BOARD 802.11 BGN STM32	Dettagli
SPB20N60C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK	Dettagli
SPB20N60C3ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK	Dettagli
SPB20N60S5ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 600V 20A TO-263	Dettagli
SPB21N10	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK	Dettagli
SPB21N10 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK	Dettagli
SPB21N10T	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK	Dettagli
SPB21N50C3	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 560V 21A TO-263	Dettagli