| Numero di parte | SPB20N60C3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20.7A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 13.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SPB200-AL-1 | H&D Wireless AB | WIFI EVK BOARD 802.11 B/G/N | Dettagli |
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SPB204 EVK | H&D Wireless AB | EVK WI-FI SD CARD WITH HDG204 | Dettagli |
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SPB205-AL-1 | H&D Wireless AB | WIFI BOARD 802.11 BGN STM32 | Dettagli |
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SPB20N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK | Dettagli |
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SPB20N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK | Dettagli |
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SPB20N60S5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20A TO-263 | Dettagli |
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SPB21N10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | Dettagli |
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SPB21N10 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | Dettagli |
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SPB21N10T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK | Dettagli |
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SPB21N50C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 21A TO-263 | Dettagli |
