2N7639-GA - GeneSiC Semiconductor

品番	2N7639-GA
部品ステータス	Active
FETタイプ	-
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	15A (Tc) (155°C)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	-
Vgs（th）（Max）@ Id	-
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1534pF @ 35V
Vgs（最大）	-
FET機能	-
消費電力（最大）	172W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	105 mOhm @ 15A
動作温度	-55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-257
パッケージ/ケース	TO-257-3
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	詳細
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	詳細
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	詳細
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	詳細
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	詳細
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	詳細
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	詳細
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	詳細
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	詳細
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	詳細