2N7639-GA - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	2N7639-GA
Stato parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Tc) (155°C)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1534pF @ 35V
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	172W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 15A
temperatura di esercizio	-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-257
Pacchetto / caso	TO-257-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Dettagli
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Dettagli
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Dettagli
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Dettagli
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Dettagli
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Dettagli