Numero di parte | 2N7639-GA |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | - |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) (155°C) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1534pF @ 35V |
Vgs (massimo) | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 172W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 15A |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
Pacchetto / caso | TO-257-3 |
Peso | - |
Paese d'origine | - |