2N7639-GA - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	2N7639-GA
Teilstatus	Active
FET Typ	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	15A (Tc) (155°C)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1534pF @ 35V
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	172W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 15A
Betriebstemperatur	-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-257
Paket / Fall	TO-257-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Einzelheiten
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Einzelheiten
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Einzelheiten
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Einzelheiten
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Einzelheiten
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten