2N7000G - ON Semiconductor

Artikelnummer	2N7000G
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	350mW (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Einzelheiten
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Einzelheiten
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Einzelheiten
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Einzelheiten
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Einzelheiten
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Einzelheiten