2N7639-GA - GeneSiC Semiconductor

부품 번호	2N7639-GA
부품 상태	Active
FET 유형	-
과학 기술	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	650V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	15A (Tc) (155°C)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	-
Vgs (th) (최대) @ Id	-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1534pF @ 35V
Vgs (최대)	-
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	172W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 15A
작동 온도	-55°C ~ 225°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-257
패키지 / 케이스	TO-257-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	세부
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	세부
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	세부
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	세부
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	세부
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	세부
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	세부
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	세부
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	세부
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	세부