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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › C3M0120100K
C3M0120100K

C3M0120100K - Cree/Wolfspeed

品番
C3M0120100K
メーカー
Cree/Wolfspeed
簡単な説明
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
C3M0120100K PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
C3M0120100K.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1155 pcs
参考価格
USD 9.18/pcs
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C3M0120100K 詳細な説明

品番 C3M0120100K
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 22A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 15V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 3mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 21.5nC @ 15V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 350pF @ 600V
Vgs（最大） ±15V
FET機能 -
消費電力（最大） 83W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 155 mOhm @ 15A, 15V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4L
パッケージ/ケース TO-247-4
重量 -
原産国 -

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