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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › C3M0120100K
C3M0120100K

C3M0120100K - Cree/Wolfspeed

Numero di parte
C3M0120100K
fabbricante
Cree/Wolfspeed
Breve descrizione
1000V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
C3M0120100K Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
C3M0120100K.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1155 pcs
Prezzo di riferimento
USD 9.18/pcs
Il nostro prezzo
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C3M0120100K Descrizione dettagliata

Numero di parte C3M0120100K
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.5nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 600V
Vgs (massimo) ±15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 15A, 15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-4L
Pacchetto / caso TO-247-4
Peso -
Paese d'origine -

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