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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › TSM900N10CH X0G
TSM900N10CH X0G

TSM900N10CH X0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte
TSM900N10CH X0G
fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
TSM900N10CH X0G Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
235212 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.7/pcs
Il nostro prezzo
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TSM900N10CH X0G Descrizione dettagliata

Numero di parte TSM900N10CH X0G
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso -
Paese d'origine -

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