| Numero di parte | TSM900N06CH X0G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 (IPAK) |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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TSM900N06CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251 | Dettagli |
.jpg "TSM900N06CP ROG") |
TSM900N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252 | Dettagli |
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TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223 | Dettagli |
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TSM900N10CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 100V 15A TO251 | Dettagli |
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TSM900N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 | Dettagli |
