TSM900N06CH X0G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
TSM900N06CH X0G |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
11A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
90 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
9.3nC @ 10V |
Vgs (Max) |
±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
500pF @ 15V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
25W (Tc) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-251 (IPAK) |
Paket / Fall |
TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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