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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TSM900N06CW RPG
TSM900N06CW RPG

TSM900N06CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer
TSM900N06CW RPG
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TSM900N06CW RPG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1094022 pcs
Referenzpreis
USD 0.1505/pcs
Unser Preis
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TSM900N06CW RPG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TSM900N06CW RPG
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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