TSM900N06CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation

номер части	TSM900N06CW RPG
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	60V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	500pF @ 15V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	25W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SOT-223
Упаковка / чехол	TO-261-4, TO-261AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TSM900N06CH X0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251	подробности
TSM900N06CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252	подробности
TSM900N06CW RPG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223	подробности
TSM900N10CH X0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 100V 15A TO251	подробности
TSM900N10CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252	подробности