TSM900N06CW RPG

TSM900N06CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza
TSM900N06CW RPG
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
1094022 pcs
Precio de referencia
USD 0.1505/pcs
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TSM900N06CW RPG Descripción detallada

Número de pieza TSM900N06CW RPG
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / caja TO-261-4, TO-261AA
Peso -
País de origen -

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