TSM900N06CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza: TSM900N06CW RPG
Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 1094022 pcs
Precio de referencia: USD 0.1505/pcs
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Número de pieza	TSM900N06CW RPG
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	SOT-223
Paquete / caja	TO-261-4, TO-261AA
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TSM900N06CH X0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251	Detalles
TSM900N06CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252	Detalles
TSM900N06CW RPG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223	Detalles
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TSM900N10CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252	Detalles