TSM900N10CH X0G

TSM900N10CH X0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza
TSM900N10CH X0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
235212 pcs
Precio de referencia
USD 0.7/pcs
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TSM900N10CH X0G Descripción detallada

Número de pieza TSM900N10CH X0G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-251 (IPAK)
Paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso -
País de origen -

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