| Número de pieza | TSM900N10CH X0G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 50V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 50W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-251 (IPAK) |
| Paquete / caja | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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TSM900N06CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251 | Detalles |
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TSM900N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252 | Detalles |
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TSM900N06CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223 | Detalles |
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TSM900N10CH X0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 100V 15A TO251 | Detalles |
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TSM900N10CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 | Detalles |
