TSM900N10CH X0G

TSM900N10CH X0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article
TSM900N10CH X0G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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235212 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.7/pcs
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TSM900N10CH X0G Description détaillée

Numéro d'article TSM900N10CH X0G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.3nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1480pF @ 50V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 50W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-251 (IPAK)
Paquet / cas TO-251-3 Stub Leads, IPak
Poids -
Pays d'origine -

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