TSM900N10CH X0G - Taiwan Semiconductor Corporation

品番	TSM900N10CH X0G
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	90 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	9.3nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1480pF @ 50V
FET機能	-
消費電力（最大）	50W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-251 (IPAK)
パッケージ/ケース	TO-251-3 Stub Leads, IPak
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
TSM900N06CH X0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251	詳細
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TSM900N10CH X0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 100V 15A TO251	詳細
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