TSM900N06CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	TSM900N06CW RPG
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	25W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-223
Pacchetto / caso	TO-261-4, TO-261AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TSM900N06CH X0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251	Dettagli
TSM900N06CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO252	Dettagli
TSM900N06CW RPG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223	Dettagli
TSM900N10CH X0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 100V 15A TO251	Dettagli
TSM900N10CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252	Dettagli