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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › NSV60101DMR6T1G
NSV60101DMR6T1G

NSV60101DMR6T1G - ON Semiconductor

Numero di parte
NSV60101DMR6T1G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
60V 1A DUAL NPN LOW VCE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NSV60101DMR6T1G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1187952 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1386/pcs
Il nostro prezzo
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NSV60101DMR6T1G Descrizione dettagliata

Numero di parte NSV60101DMR6T1G
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 5V
Potenza - Max 530mW
Frequenza - Transizione 200MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore SC-74
Peso -
Paese d'origine -

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