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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › NSV60601MZ4T3G
NSV60601MZ4T3G

NSV60601MZ4T3G - ON Semiconductor

Numero di parte
NSV60601MZ4T3G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NSV60601MZ4T3G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
360000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1391/pcs
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NSV60601MZ4T3G Descrizione dettagliata

Numero di parte NSV60601MZ4T3G
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 600mA, 6A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 2V
Potenza - Max 800mW
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-223
Peso -
Paese d'origine -

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