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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › NSV60200LT1G
NSV60200LT1G

NSV60200LT1G - ON Semiconductor

Numero di parte
NSV60200LT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NSV60200LT1G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
103784 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2543/pcs
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NSV60200LT1G Descrizione dettagliata

Numero di parte NSV60200LT1G
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 200mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
Potenza - Max 460mW
Frequenza - Transizione 100MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Peso -
Paese d'origine -

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