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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › NSV60200LT1G
NSV60200LT1G

NSV60200LT1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSV60200LT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 60V 2A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSV60200LT1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
105996 pcs
Referenzpreis
USD 0.2543/pcs
Unser Preis
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NSV60200LT1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSV60200LT1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 200mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 500mA, 2V
Leistung max 460mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Gewicht -
Ursprungsland -

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