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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › NSV60100DMTWTBG
NSV60100DMTWTBG

NSV60100DMTWTBG - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSV60100DMTWTBG
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
DUAL TRANSISTOR PNP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSV60100DMTWTBG PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
108589 pcs
Referenzpreis
USD 0.2436/pcs
Unser Preis
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NSV60100DMTWTBG detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSV60100DMTWTBG
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Leistung max 2.27W
Frequenz - Übergang 155MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 6-WDFN (2x2)
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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