NSV60100DMTWTBG detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NSV60100DMTWTBG |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
2 NPN (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
1A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
60V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 100mA, 2A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
120 @ 500mA, 2V |
Leistung max |
2.27W |
Frequenz - Übergang |
155MHz |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
6-WDFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket |
6-WDFN (2x2) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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