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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › NSV60100DMTWTBG
NSV60100DMTWTBG

NSV60100DMTWTBG - ON Semiconductor

Numero di parte
NSV60100DMTWTBG
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
DUAL TRANSISTOR PNP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NSV60100DMTWTBG Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
106342 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2436/pcs
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NSV60100DMTWTBG Descrizione dettagliata

Numero di parte NSV60100DMTWTBG
Stato parte Active
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100mA, 2A
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V
Potenza - Max 2.27W
Frequenza - Transizione 155MHz
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WDFN (2x2)
Peso -
Paese d'origine -

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