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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays › NSV60101DMR6T1G
NSV60101DMR6T1G

NSV60101DMR6T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSV60101DMR6T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
60V 1A DUAL NPN LOW VCE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSV60101DMR6T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1187952 pcs
Referenzpreis
USD 0.1386/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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NSV60101DMR6T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSV60101DMR6T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 5V
Leistung max 530mW
Frequenz - Übergang 200MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket SC-74
Gewicht -
Ursprungsland -

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