NSV60101DMR6T1G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NSV60101DMR6T1G |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
2 NPN (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
1A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
60V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
200mV @ 100mA, 1A |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
250 @ 100mA, 5V |
Leistung max |
530mW |
Frequenz - Übergang |
200MHz |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket |
SC-74 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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