NSV60101DMR6T1G

NSV60101DMR6T1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NSV60101DMR6T1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
60V 1A DUAL NPN LOW VCE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1187952 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1386/pcs
Notre prix
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NSV60101DMR6T1G Description détaillée

Numéro d'article NSV60101DMR6T1G
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 100mA, 5V
Puissance - Max 530mW
Fréquence - Transition 200MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur SC-74
Poids -
Pays d'origine -

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