NSV60101DMTWTBG - ON Semiconductor

Numéro d'article	NSV60101DMTWTBG
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 NPN (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	1A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	180mV @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 500mA, 2V
Puissance - Max	2.27W
Fréquence - Transition	180MHz
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-WDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur	6-WDFN (2x2)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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