| Artikelnummer | NSV60600MZ4T1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 6A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 60V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 600mA, 6A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
| Leistung max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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NSV60100DMTWTBG | ON Semiconductor | DUAL TRANSISTOR PNP | Einzelheiten |
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NSV60201LT1G | ON Semiconductor | TRANS NPN 60V 2A SOT23-3 | Einzelheiten |
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NSV60601MZ4T1G | ON Semiconductor | TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4 | Einzelheiten |
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NSV60601MZ4T3G | ON Semiconductor | TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4 | Einzelheiten |
