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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › NSV60600MZ4T1G
NSV60600MZ4T1G

NSV60600MZ4T1G - ON Semiconductor

Artikelnummer
NSV60600MZ4T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 60V 6A SOT223-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NSV60600MZ4T1G PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
99662 pcs
Referenzpreis
USD 0.2592/pcs
Unser Preis
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NSV60600MZ4T1G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NSV60600MZ4T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 6A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 600mA, 6A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 2V
Leistung max 800mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket SOT-223-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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