| Numero di parte | 1N645-1/TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 225V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 400mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 225V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-213AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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1N643A | EXSHINE | silicon diode | Dettagli |
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1N645-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | Dettagli |
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1N645-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING | Dettagli |
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1N645-1E3 | Microsemi Corporation | SWITCHING DIODE | Dettagli |
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1N645A | EXSHINE | silicon diode | Dettagli |
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1N645UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 | Dettagli |
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1N646 | Microsemi Corporation | SILICON SWITCHING DIODES | Dettagli |
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1N646-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 | Dettagli |
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1N6461 | Semtech Corporation | T DAP UNI 500W 5V | Dettagli |
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1N6461US | Semtech Corporation | 500 W UNIPOLAR TVS | Dettagli |
