| 品番 | 1N645-1/TR |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| ダイオードタイプ | Standard |
| 電圧 - DC逆（Vr）（最大） | 225V |
| 電流 - 平均整流（Io） | 400mA |
| 電圧 - フォワード（Vf）（最大）@ If | 1V @ 400mA |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | - |
| 電流 - 逆リーク（Vr） | 50nA @ 225V |
| 容量Vr、F | - |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | DO-213AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-213AA |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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1N643A | EXSHINE | silicon diode | 詳細 |
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1N645-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | 詳細 |
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1N645-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING | 詳細 |
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1N645-1E3 | Microsemi Corporation | SWITCHING DIODE | 詳細 |
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1N645A | EXSHINE | silicon diode | 詳細 |
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1N645UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 | 詳細 |
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1N646 | Microsemi Corporation | SILICON SWITCHING DIODES | 詳細 |
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1N646-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 | 詳細 |
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1N6461 | Semtech Corporation | T DAP UNI 500W 5V | 詳細 |
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1N6461US | Semtech Corporation | 500 W UNIPOLAR TVS | 詳細 |
