| Artikelnummer | 1N645-1/TR |
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| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 225V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 400mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50nA @ 225V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-213AA |
| Lieferantengerätepaket | DO-213AA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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1N643A | EXSHINE | silicon diode | Einzelheiten |
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1N645-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | Einzelheiten |
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1N645-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING | Einzelheiten |
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1N645-1E3 | Microsemi Corporation | SWITCHING DIODE | Einzelheiten |
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1N645A | EXSHINE | silicon diode | Einzelheiten |
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1N645UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 | Einzelheiten |
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1N646 | Microsemi Corporation | SILICON SWITCHING DIODES | Einzelheiten |
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1N646-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 | Einzelheiten |
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1N6461 | Semtech Corporation | T DAP UNI 500W 5V | Einzelheiten |
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1N6461US | Semtech Corporation | 500 W UNIPOLAR TVS | Einzelheiten |
