| Número de pieza | 1N645-1/TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 225V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 400mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 400mA |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 225V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-213AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-213AA |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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1N643A | EXSHINE | silicon diode | Detalles |
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1N645-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | Detalles |
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1N645-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING | Detalles |
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1N645-1E3 | Microsemi Corporation | SWITCHING DIODE | Detalles |
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1N645A | EXSHINE | silicon diode | Detalles |
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1N645UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 | Detalles |
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1N646 | Microsemi Corporation | SILICON SWITCHING DIODES | Detalles |
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1N646-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 | Detalles |
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1N6461 | Semtech Corporation | T DAP UNI 500W 5V | Detalles |
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1N6461US | Semtech Corporation | 500 W UNIPOLAR TVS | Detalles |
