| Numéro d'article | 1N645-1/TR |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 225V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 400mA |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 400mA |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 225V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-213AA |
| Package de périphérique fournisseur | DO-213AA |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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1N643A | EXSHINE | silicon diode | Détails |
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1N645-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | Détails |
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1N645-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING | Détails |
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1N645-1E3 | Microsemi Corporation | SWITCHING DIODE | Détails |
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1N645A | EXSHINE | silicon diode | Détails |
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1N645UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 | Détails |
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1N646 | Microsemi Corporation | SILICON SWITCHING DIODES | Détails |
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1N646-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 | Détails |
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1N6461 | Semtech Corporation | T DAP UNI 500W 5V | Détails |
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1N6461US | Semtech Corporation | 500 W UNIPOLAR TVS | Détails |
