| Numero di parte | 1N6461 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | - |
| Canali unidirezionali | - |
| Canali bidirezionali | - |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | - |
| Voltage - Breakdown (Min) | - |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | - |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | - |
| Potenza - Peak Pulse | - |
| Protezione della linea di alimentazione | - |
| applicazioni | - |
| Capacità @ frequenza | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Dettagli |
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1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | Dettagli |
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1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
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1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
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1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
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1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
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1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
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1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
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1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
