MT53B128M32D1NP-062 WT:A - Micron Technology Inc.

Numero di parte: MT53B128M32D1NP-062 WT:A
fabbricante: Micron Technology Inc.
Breve descrizione: IC DRAM 4G 1600MHZ
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Memoria
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Codice data: New
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Numero di parte	MT53B128M32D1NP-062 WT:A
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria	4Gb (128M x 32)
Frequenza di clock	1600MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	-
Interfaccia di memoria	-
Tensione - Fornitura	1.1V
temperatura di esercizio	-30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1866MHZ	Dettagli
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1866MHZ	Dettagli
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1600MHZ	Dettagli
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1600MHZ	Dettagli
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1600MHZ	Dettagli
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1600MHZ	Dettagli
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1600MHZ	Dettagli
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1600MHZ	Dettagli
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1600MHZ	Dettagli
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G 1600MHZ	Dettagli